在靠近a-Si∶H有1Lmpoly-Si区域上，电场分布基本平坦，强度在5～6×103V/cm，之后分布隆起，x=1.2Lm达1.3×104V/cm，然后又经过一个低谷再升高至poly-Si外电极处，poly-Si中光生载流子输运是在电场与扩散共同支持下进行的，保证了它们的有效收集。而且如前所述，poly-Si能有效吸收能量低于1.72eV的太阳光辐射，能电池的电场强度分布。与a-Si∶H单结太阳能电池不同，光辐照并不使a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的a-Si∶H薄膜中电场强度降低而是升高了，即电场强度普遍抬高1.8×104V/cm，例如x=0.15Lm处，由1.0×104V/cm升高到2.6×104V/cm。
显然，光照后在靠近a-Si∶H的poly-Si区域上电1场强度也增大，x=0.2Lm处增加最多，为1.36×104V/cm。虽然有些地区电场强度较光照前下降，但也不会影响光生载流子在poly-Si薄膜中的传输与收集。总之a-Si/poly-Si叠层太阳能电池在光辐照下性能不会发生退化，a-Si/poly-Si叠层太阳能电池有较高稳定性，这已为实验所证实。
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