一个问题是能耗较高。对于夹层型晶体硅制造工艺的发展，本文只列举其中的两种方案。其一是在硅片上利用外延法生长出高质量的硅层外延生长温度：M；HMN沉积速率：OOPDN实验室电池已达到高于Q的转换效率，但是工业化生产试验如硅片基体的复用、或在玻璃基体上用激光结晶法外延生长加氢非晶硅93RPST等所制成的电池的效率只有；1.另一个方案是在晶态基体上沉积掺杂的非晶硅层制成异质结，同时在硅片的另一面再沉积一层非晶硅形成背面场使背侧钝化，这时实验室电池可达到的效率。这种工艺的好处在于效率较高而且工艺相对简单，已建有中间试验生产线。

　　晶体硅带和晶体硅膜在基体上的制造可以完全不用机械加工的方法，但是它们的研制和开发却用了大约年的时间。这类电池的基础是由液相直接得到的多晶硅，但是必须在硅的熔点温度下生成，高温限制了基体材料的选择范围，同时还存在着热应力和机械应力因为在固液相界面附近存在着以上的温度梯度和生产速率较低约，.的问题。

　　目前用硅带制造的太阳能电池1的总峰值功率已超过几兆瓦01，实验室获得的效率高达23.不过这类模件尚未进入市场。过去几年中，膜厚小于的薄膜结晶硅太阳能电池受到普遍的重视，由于气相沉积时的温度较低2基体可以选择玻璃、不锈钢、铝甚至塑料等材料，同时可以在沉积过程中用加氢的方法使晶体边缘钝化。因此即使晶粒尺寸小于，膜的性能仍然能够满足要求。膜不但要尽可能的薄，在沉积到基体上时还要具备光散射的织构。当基体是透明的导电氧化物@时，则更为必要。等离子增强化学气相沉积法ABC4是一项有效的技术，膜厚在2时，已获得效率达的结果。这类电池的CD较低约C，通过优化晶体的生长过程有可能得到改进。如果和非晶硅太阳能电池组成级联电池，它们的带隙组合将很理想，据报道效率可达。