异常光电特性的产生原因A类器件的I-V特性与一个MSM探测器件十分相象，MSM是由金属-半导体-金属组成的两个背靠背肖特基结构<2>。由此推测异常器件可能存在一个寄生的整流结，它与我们制作的PN结（主结）磁粉离合器以背靠背的形式反向串联，假设它有如所示的等效电路<3，4>。根据UV-110的衬底材料参数、结构与制作特点，寄生的整流结可能是由于工艺不当，在金属电极2与N型硅衬底材料之间形成的寄生的肖特基势垒，这样中的电极2和电极3就不再是等效的。因此对异常器件的讨论，必须考虑电极1、2之间的两个整流结，我们用D2表示电极2和电极3之间可能存在的这个寄生肖特基结，而电极1、3之间是我们要制作的PN结，用D1表示。

　　生肖特基结存在的真实性得到了下列实验证实：直接以异常器件的电极1、3和电极2、3作为输出端子分别测量它们的光电特性，结果表明，电极1、3之间的PN结D1具有完全与B类器件相同的正常的光电特性。电极2、3在正、反两种偏置电压下的特性示于。

　　将异常器件在530～550℃的温度下热处理10min，异常光电特性消失，说明肖特基势垒经过热处理后消失。可见这个肖特基势垒是由于电极2未能与N型硅衬底材料形成良好欧姆接触引起的<6>。异常器件的I-V特性总是受制于其中反向偏置结的性质，而其正向偏置结等效为一个正向微分电阻串联在这个反向结上，所以的I-V特性曲线呈基本对称分布。